Intel представил новую технологию трехмерных транзисторов

Сегодня, 4 мая, крупнейший в мире производитель микропроцессоров Intel анонсировал принципиально новую технологию изготовления чипов с трехмерной структурой процессоров.

Новая разработка позволяет создавать существенно более производительные и энергоэффективные процессоры по сравнению с существующими аналогами. Intel является пока единственным полупроводниковым производителем, готовым к внедрению этой технологии в массовую продукцию.

Разработка, получившая наименование 3-D Tri-Gate, будет впервые реализована в серийных процессорах в конце этого года. Трехмерные транзисторы дебютируют в чипах семейства Ivy Bridge, изготовляемых по 22-нанометровой технологии и предназначенных для персональных компьютеров. В дальнейшем Intel планирует использовать технологию для создания более экономичных и производительных процессоров Intel Atom для мобильных устройств и встроенных решений.

По заявлению компании, внедрение 3-D Tri-Gate повышает производительность процессора до 37% при одновременном переходе с 32-нанометровых на 22-нанометровые топологические нормы (подобный переход, сам по себе, также позволяет увеличить скорость работы чипа). При сохранении производительности энергопотребление процессора после смены технологии может быть уменьшено более чем вдвое.

Компания пока не раскрывает детали новой технологии, отмечая лишь, что переход от традиционной планарной к трехмерной структуре транзистора позволяет снизить сопротивление открытого логического элемента, увеличить сопротивление в закрытом состоянии и помогает быстрее переключаться между этими режимами.

Соответственно, применение трехмерных транзисторов снижает рабочее напряжение чипа и уменьшает токи утечки.

О начале разработке технологии трехмерных транзисторов Intel совместно с компанией Texas Instruments объявила еще в 2006 году. Тогда предполагалось, что новация найдет применение в серийной продукции к 2010 году.